IGZO器件
采用非晶氧化铟镓锌 (a-IGZO) 薄膜晶体管技术的通用型底栅结构传感器件，兼具卓越电学性能与工艺稳定性。
- 高电子迁移率，比非晶硅高 20-50 倍，实现更快速的信号传输
- 极低漏电流，具有极佳的关态特性，实现高信噪比检测
- 卓越的稳定性，在非真空环境下长期运行无明显阈值漂移
- 低温工艺兼容，可集成于柔性衬底，拓展应用边界
产品详情
元芯传感 IGZO 器件采用高性能氧化铟镓锌（IGZO）半导体材料作为有源层，基于成熟的 4 英寸晶圆产线制造。该器件采用优化的底栅结构设计，具有高均一性、微型化、高良品率等显著特点。
经过严格的 72 小时连续老化测试，器件在非真空环境中表现出极佳的阈值电压稳定性。凭借先进的薄膜沉积与退火工艺，我们实现了连续多个批次 100% 的良品率。同时，器件尺寸与电极结构可根据客户需求灵活定制，并无缝兼容标准半导体分析仪及探针台的测试接口。
产品优势
高性能表现
电子迁移率高达 10~16 cm²/(V·s)，开关比超过 10⁶，大幅优于传统非晶硅器件
工艺高度一致
严格的制程控制确保器件开态电流变异系数小于 5%，保障芯片间性能的高度一致性
低功耗设计
极低的关态漏电流（Off-current），使其非常适合用于低功耗便携式传感设备
主要应用
生物与化学标志物检测平台
作为核心转换元件，构建下一代高灵敏度生物传感器，用于蛋白质、核酸、金属离子等多种微量标志物的实时无标记检测。
技术指标
| 沟道材料 | IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) |
| 晶圆尺寸 | 4 英寸 |
| 开关比 (On/Off Ratio) | ＞ 10⁶ |
| 开态电流变异系数 | ＜ 5% |
| 电子迁移率 | 10 ~ 16 cm²/(V·s) |
| 工艺良率 | ≈ 100% (连续批次验证) |
